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电子元件与材料杂志

主办单位：中国电子学会;中国电子元件行业协会
出版地：四川省成都市
出版周期：月刊
国际刊号：ISSN：1001-2028
国内刊号：CN：51-1241/TN
期刊收录：中国知网，万方数据，维普数据库，龙源数据库
期刊级别：CA,SA,JST,CSCD北京大学《中文核心期刊要目总览》来源期刊：2017年版

电子元件与材料杂志杂志社/杂志简介: 《电子元件与材料》创办于1982年，每月5日出版，是由工业和信息化部主管，中国电子学会、中国电子元件行业协会和国营第715厂共同主办的国家级科技刊物。
报道范围：以混合微电子、电子封装、敏感元件与传感技术、压电铁电器件、新型阻容元件、光电元件、磁性元件及相关电子材料为主要内容。
定位及风格：本刊集权威性、前瞻性、实用性于一体，理论联系实际，贴近电子元件与材料技术的实践和发展实际。主要追踪报道国内外在科研、生产和应用方面的最新科研成果，分析国内外技术前沿的发展动态，提供国内外技术、市场信息，努力增进技术传播与交流，建立业界的信息交流平台。

《电子元件与材料》杂志评价信息：

（2018版）复合影响因子：0.310
（2018版）综合影响因子：0.589
该刊被以下数据库收录：
CA 化学文摘(美)(2014)
SA 科学文摘(英)(2011)
JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)(2013)
CSCD 中国科学引文数据库来源期刊（2017-2018年度）（含扩展版）
北京大学《中文核心期刊要目总览》来源期刊：
1992年(第一版),1996年(第二版),2000年版,2004年版,2008年版,2011年版;
2017年版
期刊荣誉：
Caj-cd规范获奖期刊;第二届全国优秀科技期刊;第三届(2005)国家期刊提名奖期刊;

《电子元件与材料》杂志主要栏目：

专家论坛、发展动态、综述、研究与试制、可靠性、经验点滴等

《电子元件与材料》杂志投稿须知：

1 稿件要求
﹡ 论点明确、论证严谨、数据可靠、层次分明、重点突出、文字简练。研究论文：含图表在内一般6000字左右；技术简报一般2000字左右；专题综述一般8000字左右（综述文的撰写者一般应是正在从事该领域研究工作的专家，内容需包括作者对本人或本课题组研究工作的评述）。
﹡文章格式必须用word格式(本刊使用 Word 2003，附件请务必存为doc格式)；文字用宋体五号，行距1.0，除中、英文摘要外，文章主体部分分为两栏。按“中文标题、作者、单位、摘要、关键词，英文标题、作者、单位、摘要、关键词，正文（致谢）、参考文献”的顺序撰写。图、表置于文中适当位置。首页下方按“收稿日期、基金项目、作者简介”顺序列出。详见“模版/样版”。
﹡标题要简单明了，突出主题和创新亮点。中文标题一般不超出20字。中英文标题相符合。
﹡中英文摘要研究成果论文应按三要素（研究的问题，过程和方法，结论）写出300字左右的信息性摘要。综述文章可写指示性或信息/指示性摘要。关键词（中英文）要求直扣主题，6个为宜。给出中图分类号。详见《中英文摘要书写要求》。
﹡图表给出简明的中、英文图题和表题，图表应有自明性，请勿用彩色图。详见《图表和公式版式要求》。
﹡量和单位所有的物理量和单位一律使用国家标准GB3100～3102.1～13《量和单位》规定的法定计量单位表述。
﹡参考文献以最近5年发表的论文为主，可列可不列者及项目不全者请勿列入。本刊严格执行GB/T 7714—2015《文后参考文献著录规则》，详见《参考文献著录格式》。
﹡须提供第一作者和通讯作者简介资料:含姓名、性别、出生年、籍贯、职称/学历、现研究方向、E-mail等，为便于及时联系和寄送录用通知、稿酬和样刊等，请务必给出详细通信地址、邮编、电话(座机/手机)，作者不要超过5位，发稿后不得改动。
2 投稿须知
﹡经过前期的试用，自2018年1月1日开始，本刊正式启用中国知网“腾云”期刊协同采编系统，请通过本刊采编系统http://dzal.cbpt.cnki.net在线投稿，原投稿邮箱：journalecm@ 163.com不再接收投稿。
﹡本刊优先发表获省、部级以上基金资助及重大获奖项目、技术鉴定项目的优质论文，请注明资助基金名称、项目编号，获奖项目的名称和类别。
﹡作者应拥有合法著作权。切勿一稿多投！请在投稿时寄出或传真《著作权转让声明》。
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《电子元件与材料》杂志最新目次：

玻璃粉球磨工艺对电子浆料性能的影响   孙社稷;王大林;崔国强;王要东;张亚鹏; 2018-09-21 15:25:46
宇航用某新型膜式熔断器应用验证方法设计与实现   丁丽娜;孙明;张洪伟;刘辉;彭昌文; 2018-09-21 15:25:45
薄型IC封装基板翘曲分析与设计优化   张波;谢添华;崔永涛;肖斐; 2018-09-21 15:25:42
一种浮地磁控忆阻模拟器设计与特性分析   王将;钱辉;包伯成;徐权;陈墨; 2018-09-21 15:25:38
一种结构简单的IGZO TFT AMOLED像素补偿电路   王兰兰;鲁力;廖聪维;黄生祥;邓联文; 2018-09-21 15:25:34
基于IPD工艺的小型化无反射带通滤波器设计   刘赣;邢孟江;李小珍;李楠;杨晓东; 2018-09-21 15:25:30
射频前端CMOS有源混频器的设计   李桂琴;宋树祥;岑明灿;刘国伦;张泽伟; 2018-09-21 15:25:25
VDMOS横向变掺杂终端的优化与设计   赵磊;冯全源; 2018-09-21 15:25:21
YAG荧光粉-无铅低软化温度玻璃复合浆料的制备与应用   杜振波;杨乐;吴儒雅;李郎楷;范尚青; 2018-09-21 15:23:48
高密度碳气凝胶的制备及电化学性能研究   张会林;叶玉凤;吴学玲;沈军; 2018-09-21 15:23:45
Al掺杂Zn O纳米片的制备及其酒精气敏性能的研究   王娇;刘少辉;赵利敏;郝好山;夏思怡;程泽宇; 2018-09-21 15:23:44
混合碱法制备Zn掺杂Ni O纳米粉体及其甲醛气敏性能的研究   王娇;刘少辉;赵利敏;郝好山;夏思怡;程泽宇; 2018-09-21 15:23:41
高容量正极材料Li Ni06Co02Mn02O2的制备及性能研究   孙勇疆;符泽卫;李季;刘良彬;肖建伟; 2018-09-21 15:23:40
基于石墨烯复合材料的柔性应力传感器制备及力电特性   张华;龚天巡;黄文;毛琳娜;俞滨; 2018-09-21 15:23:37
填充超高比例Fe Si Al的纸状复合电磁吸波材料研究   蒋佳根;罗小嘉;周佩珩; 2018-09-21 15:23:36
电迁移不同失效模式的微观机理及其有限元寿命预测   张继成;张元祥;王静;梁利华; 2018-09-21 15:23:32
Ga N衬底上Hf05Zr05O2薄膜的阻变性能与机理研究   陈晓倩;朱俊;吴智鹏; 2018-09-21 15:23:28
MLCC在5G领域的应用及发展趋势   黄昌蓉;唐浩;宋子峰;安可荣; 2018-09-21 15:23:25
介电性能的影响   韩林材;丁士华;黄龙;宋天秀;杨合成; 2018-06-22 09:37:50
微波介质陶瓷性能的影响   赵昱;钟朝位;谢林杉; 2018-06-22 09:37:43

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